Faz Değişimli Bellek
 

Yarıiletken teknolojisi kullanılarak Flash belleğe göre daha hızlı, dayanıklı ve az yer kaplayan Faz Değişimli Bellek (Phase Change Memory) IBM, Macronix ve Qimonda firmalarının ortak çalışması olarak duyuruldu. Faz değişimli bellekte flash gibi geçici olmayan türde olduğundan elektrik akımı kesilsede bilgileri saklayabiliyor. Yeni bellek performans, güvenilirlik ve ebatlardaki ufalmayla geleceğin mobil telefonlarında kullanılmaya aday gözüküyor.

http://www.teknomag.com/resimler/mesajlar/1146.gif

Yapılan laboratuvar çalışmasında üretilen prototipin denenmesiyle, flash belleğe göre 500 kat daha hızlı ve daha az güç tüketen bir bellek olduğu gözlemlendi. Moore yasalarının geliştirilmesiyle şuanda üretilebilen flash belleklerden daha küçük yapıda olacak faz değişimli belleklerin 2015 yılına doğru yaygınlaşması öngörülüyor.

Flash belleklerinde geçici olmayan türde saklama yapabilmesi önemli ancak 100bin yazma sonrasında güvenilirliğini yitiriyor. Bu problem dosya saklama ve taşıma anlamında değilde, belleğe çok sık yazma yapan uygulamalarda (networklerdeki tampon bellekler, bilgisayar hafızası) güvensiz oluyor. Flash bellekle ilgili bir diğer endişe ise üretim tekniğinin 45nm'ye düşmesinden sonra mevcut hücre yapısını geçici olmayan bellek türünde olacak şekilde koruyabilmesi.